RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
71
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
11.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2585
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link