RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
71
85
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
85
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
1772
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link