RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
71
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2588
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link