RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
2179
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link