RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
39
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2322
2962
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Porównanie pamięci RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link