RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
39
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
34
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
2739
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link