RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
60
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
60
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2813
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link