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PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
60
左右 55% 更低的延时
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
60
读取速度,GB/s
13.8
16.6
写入速度,GB/s
8.4
15.3
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2813
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
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