RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
1998
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link