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PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
35
En 23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
10.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
1998
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
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Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
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