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PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
35
Por volta de 23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
10.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
10.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
1998
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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