RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3461
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link