RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2533
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link