RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
9.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2046
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link