RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2865
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link