RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
15.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2865
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link