RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
50
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
50
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2512
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology L02 06/2010 DEXCOM 2GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link