RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
50
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
50
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2512
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link