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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
50
左右 46% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
50
读取速度,GB/s
13.8
15.3
写入速度,GB/s
8.4
10.9
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2512
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Kingston 9905701-131.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
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Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
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