RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
50
Около 46% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
50
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2512
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link