RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Porównaj
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Wynik ogólny
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
106
Wokół strony -242% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
2,069.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
106
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,273.7
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,069.2
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
734
2361
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Porównanie pamięci RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link