RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2001
3726
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link