RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
42
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
19.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2001
3726
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF560C40-16 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link