RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
44
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
44
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
2374
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link