RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
40
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1806
3332
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link