RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
43
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
3206
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link