RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
43
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
7.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
38
Velocità di lettura, GB/s
11.4
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1823
3206
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link