RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
43
Wokół strony -139% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
18
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
3814
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link