RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
43
Около -139% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
18
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
20.4
Скорость записи, Гб/сек
7.7
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
3814
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link