RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
37
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
1949
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link