RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
25
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
2936
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link