Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs AMD R7416G2400U2S 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
AMD R7416G2400U2S 16GB

AMD R7416G2400U2S 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    22 left arrow 25
    Wokół strony -14% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    18.1 left arrow 16.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    14.6 left arrow 10.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 12800
    Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    25 left arrow 22
  • Prędkość odczytu, GB/s
    16.1 left arrow 18.1
  • Prędkość zapisu, GB/s
    10.1 left arrow 14.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2764 left arrow 3260
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania