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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs AMD R7416G2400U2S 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
AMD R7416G2400U2S 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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需要考虑的原因
AMD R7416G2400U2S 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
25
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
22
读取速度,GB/s
16.1
18.1
写入速度,GB/s
10.1
14.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3260
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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