RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
12.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2653
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link