RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3206
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link