RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2464
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link