RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
64
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
64
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2181
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL9 Series-XP 8GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link