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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
59
64
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
10.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
64
读取速度,GB/s
4,833.8
17.3
写入速度,GB/s
2,123.3
10.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2181
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Frequency (Mhz) *
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Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
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