RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
59
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2199
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link