RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
25.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
69
Wokół strony -176% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.7
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
25.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
20.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
4537
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link