RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
69
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2148
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link