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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
69
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
38
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
2148
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
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