Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Pontuação geral
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 14.2
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    38 left arrow 69
    Por volta de -82% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    10.3 left arrow 1,857.7
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 6400
    Por volta de 3.33 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    69 left arrow 38
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,217.2 left arrow 14.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,857.7 left arrow 10.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    668 left arrow 2148
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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