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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
69
Por volta de -82% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
38
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
10.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
2148
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology C 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
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