RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
58
91
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6.1
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
4.3
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
91
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
6.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
4.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
1214
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link