RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
58
91
Около 36% меньшая задержка
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6.1
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
4.3
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
91
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
6.1
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
4.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
1214
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link