RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
48
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
48
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2080
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston 9905293-040.A00LF 1GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link