RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
18.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
4219
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link