RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость записи
18.9
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
24
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
19.4
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
18.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
4219
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link