RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
19.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
46
Intorno -92% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.9
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
3200
Intorno 5.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
24
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
18.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
17000
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
4219
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link