RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2728
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3L/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link