RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
54
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
22
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3512
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link